Area-Selective-CVD Technology Enabled Top-Gated and Scalable 2D-Heterojunction Transistors with Dynamically Tunable Schottky Barrier

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标题	Area-Selective-CVD Technology Enabled Top-Gated and Scalable 2D-Heterojunction Transistors with Dynamically Tunable Schottky Barrier 区域选择性CVD技术实现了具有动态可调肖特基势垒的顶栅和可扩展2D异质结晶体管相关领域材料科学异质结肖特基势垒光电子学纳米技术晶体管接触电阻薄脆饼场效应晶体管半导体单层兴奋剂工作职能石墨烯电气工程图层（电子）电压工程类二极管
网址	https://doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993600
DOI	10.1109/iedm19573.2019.8993600 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Chao‐Hui Yeh; Wei Cao; Arnab Pal; Kamyar Parto; Kaustav Banerjee 出版日期：2019-12-01
求助人	读书在 2025-04-08 16:53:12 发布自广东，悬赏 10 积分
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