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 Highly uniform switching of HfO2−x based RRAM achieved through Ar plasma treatment for low power and multilevel storage 通过Ar等离子体处理实现HfO2-x基RRAM的高均匀开关，用于低功率和多电平存储
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期刊：Applied Surface Science 作者：Qi Meng; Ye Tao; Zhongqiang Wang; Haiyang Xu; Xiaoning Zhao; et al 出版日期：2018-07-20 |
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