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 Power-On Reset Circuit in 180-nm CMOS With Brownout Detection, Stable Switching Points, Long Reset Pulse Duration, and Resilience to Switching Noise 180 nm CMOS上电复位电路，具有断电检测、稳定开关点、长复位脉冲持续时间和抗开关噪声能力
相关领域
CMOS芯片
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期刊：IEEE Transactions on Very Large Scale Integration Systems 作者：Andrey A. Antonov; Maksim S. Karpovich; Vladislav Yu. Vasilyev 出版日期：2022-10-01 |
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