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 Experimental and simulation analysis of single event effects on lateral depletion-mode β-Ga2O3 MOSFETs 相关领域
材料科学
MOSFET
瞬态（计算机编程）
泄漏（经济）
栅极电介质
电介质
光电子学
晶体管
俘获
可靠性（半导体）
阈值电压
瞬态分析
降级（电信）
介电强度
逻辑门
栅氧化层
电子工程
电压
电流（流体）
随时间变化的栅氧化层击穿
存水弯（水管）
量子隧道
等离子体
电气工程
压力（语言学）
离子
加速度
和大门
热载流子注入
场效应晶体管
瞬态响应
功率MOSFET
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期刊：Applied Physics Letters 作者：You-Wei Liu; Xin Ma; Li-Bin Hu; Cheng-Jie Wang; Cheng-Long Sui; et al 出版日期：2025-11-17 |
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(2025-6-4)
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GingerF
学霸业
Criminology34
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