标题 |
TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO_2/HfO_2 bilayer gate dielectrics
超薄SiO2/HfO2双层栅介质的TDDB特性及击穿机理
相关领域
随时间变化的栅氧化层击穿
材料科学
介电强度
双层
电介质
电击穿
机制(生物学)
光电子学
栅极电介质
电气工程
化学
膜
电压
物理
晶体管
工程类
生物化学
量子力学
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其它 |
期刊:半导体学报:英文版 作者:闫江; 徐烨锋; 唐波; 许静; 唐兆云; et al 出版日期:2014-01-01 |
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