TDDB characteristic and breakdown mechanism of ultra-thin SiO_2/HfO_2 bilayer gate dielectrics

随时间变化的栅氧化层击穿 材料科学 介电强度 双层 电介质 电击穿 机制(生物学) 光电子学 栅极电介质 电气工程 化学 电压 物理 晶体管 工程类 生物化学 量子力学
作者
闫江,徐烨锋,唐波,许静,唐兆云,陶芬芬,王卿璞,Yang Hong
出处
期刊:半导体学报:英文版 卷期号: (6): 32-37

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