Optoelectronic performance enhancement of 1–5 μ m InGaN-based micro-LEDs using chemical etching coupled with dielectric passivation

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标题	Optoelectronic performance enhancement of 1–5 μ m InGaN-based micro-LEDs using chemical etching coupled with dielectric passivation
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0328266
DOI	10.1063/5.0328266 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Qin Wang; Jinyu Zhang; Guojian Ding; Yang Wang; Zhen Deng; et al 出版日期：2026-08-10
求助人	jacob258 在 2026-08-17 23:19:53 发布自江苏，悬赏 10 积分
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