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 Surface investigation of the morphological evolution and formation mechanism of nanoscale growth pits in 4H-SiC homoepitaxy 相关领域
材料科学
纳米尺度
外延
化学物理
硅
叶尖生长
碳化硅
纳米技术
下降（电信）
原子力显微镜
化学气相沉积
成核
光电子学
层状结构
透射电子显微镜
位错
刻面
电场
纳米
纳米结构
气相
结晶学
增长率
凝聚态物理
GSM演进的增强数据速率
原子单位
复合材料
异质结
相（物质）
晶体缺陷
形态学（生物学）
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期刊：Vacuum 作者：Xiyao Huang; Mingsheng Xu; Xinyue Hou; Yong Yang; Qingyu Li; et al 出版日期：2026-07-01 |
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