Design and improved performance of gate stacked dual material gate all around nanowire field effect transistor with spacer based underlap extension

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标题	Design and improved performance of gate stacked dual material gate all around nanowire field effect transistor with spacer based underlap extension
网址	https://iopscience.iop.org/article/10.1088/2631-8695/ae539b
DOI	10.1088/2631-8695/ae539b doi
其它	期刊：Engineering Research Express 作者：Hina Ismat; S. Aruna; S. K; B. Balaji 出版日期：2026-03-17
求助人	Li 在 2026-07-21 11:05:06 发布自广东，悬赏 10 积分
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