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 Forked-contact and dynamically-doped nanosheets to enhance Si and 2D-material devices at the limit of scaling 分叉接触和动态掺杂纳米片在缩放极限下增强Si和2D材料器件
相关领域
兴奋剂
缩放比例
材料科学
极限（数学）
纳米技术
硅
化学工程
光电子学
工程类
几何学
数学
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Aryan Afzalian; Zubair Ahmed; Julien Ryckaert 出版日期：2022-11-11 |
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(2025-6-4)
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