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  Determination of the effective critical breakdown field for Si, wide, and extreme bandgap semiconductor superjunction devices 硅、宽和极端带隙半导体超结器件有效临界击穿场的确定
相关领域
宽禁带半导体
半导体
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材料科学
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半导体材料
领域（数学）
硅
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| 其它 |
期刊：AIP Advances 作者：Mohamed Torky; T. Paul Chow 出版日期：2024-05-01 |
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