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标题
Determination of the effective critical breakdown field for Si, wide, and extreme bandgap semiconductor superjunction devices
硅、宽和极端带隙半导体超结器件有效临界击穿场的确定
相关领域
宽禁带半导体 半导体 带隙 材料科学 光电子学 半导体器件 半导体材料 领域（数学） 硅 工程物理 物理 纳米技术 数学 图层（电子） 纯数学
网址
https://pubs.aip.org/aip/adv/article-pdf/doi/10.1063/5.02116...
AI链接 aip.org aip.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0211696 doi
其它 期刊：AIP Advances
作者：Mohamed Torky; T. Paul Chow
出版日期：2024-05-01
求助人
Doctor 在 2025-08-28 21:48:45 发布，悬赏 10 积分
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