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 VTH-Hysteresis and Interface States Characterisation in SiC Power MOSFETs with Planar and Trench Gate 相关领域
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期刊：2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 作者：Besar Asllani; Alberto Castellazzi; Oriol Avino Salvado; Asad Fayyaz; Herve Morel; Dominique Planson 出版日期：2019-05-24 |
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