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  Operational Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with Various Dielectric Passivation Structures for High-Power and High-Frequency Operations: A Simulation Study 不同介质钝化结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管大功率高频工作特性的模拟研究
相关领域
钝化
材料科学
晶体管
光电子学
电介质
功率（物理）
高电子迁移率晶体管
高-κ电介质
电气工程
电子工程
工程物理
纳米技术
工程类
图层（电子）
物理
电压
量子力学
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| 其它 |
期刊：Micromachines 作者：Ji-Hun Kim; Chae-Yun Lim; Jun Ho Lee; Jun‐Hyeok Choi; Byoung‐Gue Min; et al 出版日期：2024-09-03 |
| 求助人 |
cdliuchao
在
2025-08-05 07:13:44 发布，悬赏 10 积分
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