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 High-k Oxide Field-Plated Vertical (001) β-Ga2O3Schottky Barrier Diode With Baliga’s Figure of Merit Over 1 GW/cm2 Baliga品质因数大于1 GW/cm2的高k氧化物场镀垂直（001）β-Ga2O3肖特基势垒二极管
相关领域
二极管
功勋
材料科学
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肖特基二极管
锌化合物
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Saurav Roy; Arkka Bhattacharyya; Praneeth Ranga; Heather Splawn; Jacob H. Leach; et al 出版日期：2021-06-16 |
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