| 标题 |
[高分]
 Effects of Rapid Thermal Annealing on Bias-Stress-Induced Base Leakage in InGaP/GaAs Collector-Up Heterojunction Bipolar Transistors Fabricated with B Ion Implantation 相关领域
材料科学
双极结晶体管
光电子学
退火（玻璃）
泄漏（经济）
异质结
离子注入
晶体管
电气工程
离子
复合材料
电压
化学
工程类
经济
宏观经济学
有机化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEICE Transactions on Electronics 作者：Kazuhiro Mochizuki 出版日期：2006-07-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
不配.
小青椒
无极微光
wop111
核桃
聪慧的正豪
LaTeXer
zcl
赫若魔
Dean
eric888
iNk
七月流火
於傲松
个性的紫菜
勤恳的天亦
着急的青枫
小情绪
猪猪hero
小杭76
GingerF
wwyy
leaolf
淡淡的南风
从容芮
GPTea
yznfly
皖公网安备34019202002308
