Thickness‐Dependent, Gate‐Tunable Rectification and Highly Sensitive Photovoltaic Behavior of Heterostructured GeSe/WS2 p–n Diode

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标题	Thickness‐Dependent, Gate‐Tunable Rectification and Highly Sensitive Photovoltaic Behavior of Heterostructured GeSe/WS2 p–n Diode 结构GeSe/WS 2 p-n二极管的厚度依赖性、门极可调整流和高灵敏度光电行为相关领域材料科学整改响应度光电子学光电流二极管异质结暗电流光探测肖特基二极管光电探测器电压物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1002/admi.202000893
DOI	10.1002/admi.202000893 doi
其它	期刊：Advanced Materials Interfaces 作者：Syed Hassan Abbas Jaffery; Junghwan Kim; Ghulam Dastgeer; Muhammad Hussain; Asif Ali; et al 出版日期：2020-10-13
求助人	无辜问枫在 2025-07-22 15:31:32 发布自北京，悬赏 10 积分
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