| 标题 |
 Investigation of performance enhancement of a recessed gate field-plated AlGaN/AlN/GaN nano-HEMT on β-Ga2O3 substrate with variation of AlN spacer layer thickness β-Ga2O3衬底上凹栅场镀AlGaN/AlN/GaN纳米HEMT性能随AlN间隔层厚度变化的研究
相关领域
材料科学
高电子迁移率晶体管
光电子学
图层（电子）
基质（水族馆）
阻挡层
电子迁移率
晶体管
纳米技术
电气工程
电压
海洋学
地质学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者：G. Purnachandra Rao; Trupti Ranjan Lenka; Nour El Islam Boukortt; Sharif Md. Sadaf; Hieu Pham Trung Nguyen 出版日期：2023-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
Kao
cdercder
大力的冬萱
ale
Copyright
yjh123
arniu2008
认真的不评
Nexus
俊秀的白曼
aaaa
关山北
行走的荷尔蒙
sagitar
蓝天
Nole
可靠的南露
殷勤的紫槐
dawd
pokexuejiao
皖公网安备34019202002308
