Investigation of performance enhancement of a recessed gate field-plated AlGaN/AlN/GaN nano-HEMT on β-Ga2O3 substrate with variation of AlN spacer layer thickness

材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 图层(电子) 基质(水族馆) 阻挡层 电子迁移率 晶体管 纳米技术 电气工程 电压 海洋学 地质学 工程类
作者
G. Purnachandra Rao,Trupti Ranjan Lenka,Nour El I. Boukortt,Sharif Md. Sadaf,Hieu Pham Trung Nguyen
出处
期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics [Springer Science+Business Media]
卷期号:34 (18) 被引量:13
标识
DOI:10.1007/s10854-023-10867-z
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