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 Technology assessment for the implementation of magnetoresistive elements with semiconductor components in magnetic random access memory (MRAM) architectures 相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Magnetics 作者：H. Boeve; C. Bruynseraede; J. Das; Kristof Dessein; G. Borghs; et al 出版日期：1999-01-01 |
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