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标题
Gate Drive Circuit Suitable for a GaN Gate Injection Transistor
适用于GaN栅极注入晶体管的栅极驱动电路
相关领域
门驱动器 电容器 电子线路 晶体管 逻辑门 材料科学 电气工程 等效门电路 门极关断晶闸管 光电子学 电压 工程类 栅氧化层
网址
DOI
10.1109/access.2023.3270261 doi
其它 期刊:IEEE Access
作者:Fumiya Hattori; Yuta Yanagisawa; Jun Imaoka; Masayoshi Yamamoto
出版日期:2023-01-01
求助人
strive 在 2025-12-04 19:05:18 发布自海南,悬赏 10 积分
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