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标题
Effect of Acceptor Traps in GaN Buffer Layer on Breakdown Performance of AlGaN/GaN HEMTs
GaN缓冲层中受主陷阱对AlGaN/GaN HEMTs击穿性能的影响
相关领域
材料科学 光电子学 击穿电压 电场 兴奋剂 晶体管 接受者 缓冲器（光纤） 电离 撞击电离 泄漏（经济） 宽禁带半导体 电压 电气工程 化学 凝聚态物理 离子 物理 工程类 宏观经济学 经济 有机化学 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/1/79/pdf?version=167221871...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov doaj.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/mi14010079 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Maodan Ma; Yanrong Cao; Hanghang Lv; Zhiheng Wang; Xin‐Xiang Zhang; et al
出版日期：2022-12-28
求助人
J_ 在 2025-12-03 18:09:40 发布自湖南，悬赏 10 积分
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