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Unveiling Tmax Inside GaN HEMT Based X-Band Low-Noise Amplifier by Correlating Thermal Simulations and IR Thermographic Measurements 通过相关热模拟和红外热成像测量揭示基于GaN HEMT的X波段低噪声放大器内部的Tmax
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期刊:IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者:Salahuddin Zafar; Yılmaz Durna; Hasan Koçer; Büşra Çankaya Akoğlu; Erdem Aras; et al 出版日期:2022-12-20 |
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