Over 1.3-kV β-Ga₂O₃ Vertical UMOSFET With High Concentration of N-Ion Implantation and Activation Annealing Temperature

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标题	Over 1.3-kV β-Ga₂O₃ Vertical UMOSFET With High Concentration of N-Ion Implantation and Activation Annealing Temperature
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2025.3549403
DOI	10.1109/ted.2025.3549403 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhili Zou; Xiaodong Zhang; Chunhong Zeng; Tiwei Chen; Gaofu Guo; et al 出版日期：2025-03-18
求助人	激昂的海蓝在 2026-09-14 14:57:51 发布自福建，悬赏 10 积分
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