Optimized HZO/Al2O3 gate stack enables thermally stable β-Ga2O3 ferroelectric field-effect transistors with an enhanced memory window

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标题	Optimized HZO/Al2O3 gate stack enables thermally stable β-Ga2O3 ferroelectric field-effect transistors with an enhanced memory window
网址	https://doi.org/10.1016/j.device.2026.101251
DOI	10.1016/j.device.2026.101251 doi
其它	期刊：作者：Seungyun Lee; Jaewook Lee; Sanghyun Moon; Seokjin Ko; Seongyun Yang; et al 出版日期：2026-08-01
求助人	ccc 在 2026-09-20 16:03:57 发布自福建，悬赏 10 积分
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