Au-free recessed Ohmic contacts to AlGaN/GaN high electron mobility transistor: Study of etch chemistry and metal scheme

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标题	Au-free recessed Ohmic contacts to AlGaN/GaN high electron mobility transistor: Study of etch chemistry and metal scheme
网址	http://dx.doi.org/10.1116/1.5144509
DOI	10.1116/1.5144509 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena 作者：Niranjan S; Ivor Guiney; Colin J. Humphreys; Prosenjit Sen; Rangarajan Muralidharan; et al 出版日期：2020-04-09
求助人	eternal 在 2026-09-10 14:29:14 发布自江苏，悬赏 10 积分
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