Gate structuring on n-type bilayer MoS2 field-effect transistors for ultrahigh current density

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标题	Gate structuring on n-type bilayer MoS2 field-effect transistors for ultrahigh current density
网址	https://doi.org/10.1038/s41563-025-02452-y
DOI	10.1038/s41563-025-02452-y doi
其它	期刊：Nature Materials 作者：Junyoung Kwon; Kyoung Yeon Kim; Dongwon Jang; Min Seok Yoo; Alum Jung; et al 出版日期：2026-01-09
求助人	自由凝天在 2026-07-07 11:30:48 发布自福建，悬赏 10 积分
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