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 The impact of oxygen insertion technology on SRAM yield performance 相关领域
静态随机存取存储器
负偏压温度不稳定性
氧气
MOSFET
产量（工程）
材料科学
随机存取存储器
插入损耗
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计算机科学
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期刊： 作者：Andrew Marshall; Sai Govinda Rao Nimmalapudi; W. K. Loh; Jessica Krick; Lou N. Hutter; et al 出版日期：2017-02-01 |
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