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 Work function tuning in TiAlN thin films by trace Al doping for CMOS-compatible metal gates 相关领域
材料科学
原子层沉积
光电子学
工作职能
兴奋剂
锡
薄膜
电极
氮化物
氮化钛
电阻率和电导率
电介质
金属浇口
化学气相沉积
铝
钛
高-κ电介质
电子工程
半导体
阈值电压
热氧化
宽禁带半导体
图层（电子）
硅
溅射
蓝宝石
金属
纳米技术
氧化物
沉积（地质）
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期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Gyeong Min Jeong; Hae-Dam Kim; Jin Seong Park 出版日期：2025-11-19 |
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