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 Effect of barrier layer on switching polarity of ZrO2-based conducting-bridge random access memory 势垒层对ZrO2基导电桥随机存取存储器极性切换的影响
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Sridhar Chandrasekaran; Firman Mangasa Simanjuntak; Tsung-Ling Tsai; Chun-An Lin; Tseung‐Yuen Tseng 出版日期：2017-09-11 |
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