Low-temperature preparation of SiO2/Si(100) interfaces using a two-step remote plasma-assisted oxidation-deposition process

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标题	Low-temperature preparation of SiO2/Si(100) interfaces using a two-step remote plasma-assisted oxidation-deposition process 两步远程等离子体辅助氧化沉积工艺低温制备SiO2/Si（100）界面相关领域远程等离子体沉积（地质）等离子体化学气相沉积氧化法材料科学热氧化硅等离子体处理化学工程分析化学（期刊）化学光电子学环境化学古生物学物理量子力学沉积物工程类生物
网址	https://doi.org/10.1063/1.106626
DOI	10.1063/1.106626 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Tetsuji Yasuda; Y. Ma; S. Habermehl; G. Lucovsky 出版日期：1992-01-27
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