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 Role of growth pressure on Structural, optical and electrical properties of indium Nitride thin films prepared by modified activated reactive evaporation 生长压力对改良活化反应蒸发法制备氮化铟薄膜结构、光学和电学性能的影响
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期刊：Materials Today Proceedings 作者：Kuyyadi P. Biju 出版日期：2022-01-01 |
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