| 标题 |
 Hot carrier reliability of radiation hardened T-gate PD SOI NMOSFET after TID radiation 相关领域
NMOS逻辑
绝缘体上的硅
可靠性（半导体）
吸收剂量
材料科学
光电子学
辐射
热载流子注入
栅氧化层
氧化物
MOSFET
硅
电气工程
晶体管
工程类
物理
光学
功率（物理）
量子力学
电压
冶金
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Fifth Symposium on Novel Optoelectronic Detection Technology and Application 作者：Jinghao Zhao; Qiwen Zheng; Xue‐Feng Yu; Jiangwei Cui; Hang Zhou; et al 出版日期：2019-03-12 |
| 求助人 | |
| 下载 | 暂无链接，等待应助者上传 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
GingerF
唐泽雪穗
浮游
淡淡的南风
wop111
Arturo
eric888
Zoom
Takahara2000
VDC
YifanWang
19205100313
从容芮
危机的妖妖
Bio
无心的小蘑菇
不配.
AMM
Yan
GPTea
两耳不闻窗外事
你想读博吗
Xiaoxiao
mmyhn
Rita
香蕉觅云
HJJHJH
认真的幻姬
皖公网安备34019202002308
