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 Enhanced channel hot carrier effect of 0.13 m silicon-on-insulator N metal-oxide-semiconductor field-effect transistor induced by total ionizing dose effect 总电离剂量效应引起的0.13 m绝缘体上硅N金属氧化物半导体场效应晶体管的增强沟道热载流子效应
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Hang Zhou; Zheng Qi-Wen; Jiangwei Cui; Yu Xuefeng; Qi Guo; et al 出版日期：2016-01-01 |
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