Thickness dependent integrity of gate oxide on SOI

随时间变化的栅氧化层击穿 绝缘体上的硅 薄脆饼 栅氧化层 材料科学 氧化物 光电子学 介电强度 栅极电介质 电介质 电子工程 电气工程 电压 晶体管 工程类 冶金
作者
Mikio Tsujiuchi,T. Iwamatsu,Hideki Naruoka,Hiroshi Umeda,T. Ippōshi,Shigeto Maegawa,Yasuo Inoue
出处
期刊:Applied Surface Science [Elsevier]
卷期号:216 (1-4): 329-333 被引量:1
标识
DOI:10.1016/s0169-4332(03)00419-7
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