| 标题 |
 Velocity Overshoot and Its Degradation in Sub-50-nm Gate-length GaAs/AlGaAs High-electron-mobility Transistors 亚50nm栅长GaAs/AlGaAs高电子迁移率晶体管的速度过冲及其退化
相关领域
速度超调
材料科学
光电子学
降级（电信）
晶体管
感应高电子迁移率晶体管
超调（微波通信）
电子迁移率
电子
高电子迁移率晶体管
电气工程
物理
电压
量子力学
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of the Korean Physical Society 作者：Jaeheon Han 出版日期：2009-07-13 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)
GingerF
学霸业
芽芽
qwer189
coolsisw
渡人舟
愉快的真
极限001
Criminology34
pluto
牧青
Dominic
林狗
初景
无极微光
滕祥
xiaolizi
机灵的沂
斯文的白玉
遂芫人生
皖公网安备34019202002308
