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标题
Investigation on the passivation, band alignment, gate charge, and mobility degradation of the Ge MOSFET with a GeO x /Al2O3 gate stack by ozone oxidation
臭氧氧化对GeO x/Al2O3栅叠层Ge MOSFET的钝化、能带排列、栅电荷和迁移率退化的研究
相关领域
钝化 材料科学 光电子学 MOSFET 堆栈（抽象数据类型） 电子迁移率 CMOS芯片 带隙 半导体 金属浇口 栅氧化层 电气工程 纳米技术 晶体管 计算机科学 图层（电子） 电压 工程类 程序设计语言
网址
https://doi.org/10.1088/1674-4926/43/1/013101
DOI
10.1088/1674-4926/43/1/013101 doi
其它 期刊：Journal of Semiconductors
作者：Lixing Zhou; Jinjuan Xiang; Xiaolei Wang; Wenwu Wang
出版日期：2022-01-01
求助人
考研预备 在 2025-08-29 21:51:01 发布，悬赏 10 积分
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