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 Investigation on the passivation, band alignment, gate charge, and mobility degradation of the Ge MOSFET with a GeO x /Al2O3 gate stack by ozone oxidation 臭氧氧化对GeO x/Al2O3栅叠层Ge MOSFET的钝化、能带排列、栅电荷和迁移率退化的研究
相关领域
钝化
材料科学
光电子学
MOSFET
堆栈（抽象数据类型）
电子迁移率
CMOS芯片
带隙
半导体
金属浇口
栅氧化层
电气工程
纳米技术
晶体管
计算机科学
图层（电子）
电压
工程类
程序设计语言
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| 其它 |
期刊：Journal of Semiconductors 作者：Lixing Zhou; Jinjuan Xiang; Xiaolei Wang; Wenwu Wang 出版日期：2022-01-01 |
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