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标题
High-Breakdown and Low-Leakage 4H-SiC MOS Capacitor Based on HfO2/SiO2 Stacked Gate Dielectric in Trench Structures
沟槽结构中基于HfO2/SiO2堆叠栅介质的高击穿低泄漏4H-SiC MOS电容器
相关领域
材料科学 沟槽 泄漏（经济） 电容器 电介质 栅极电介质 浅沟隔离 光电子学 介电强度 高-κ电介质 电气工程 复合材料 电压 晶体管 工程类 图层（电子） 经济 宏观经济学
网址
https://doi.org/10.3390/nano15050343
AI链接 doi.org nih.govdoi.org
DOI
10.3390/nano15050343 doi
其它 期刊：Nanomaterials
作者：Qimin Huang; Y. P. Guo; Anfeng Wang; Lin Gu; Zhenyu Wang; et al
出版日期：2025-02-22
求助人
miravai 在 2025-08-04 23:34:19 发布，悬赏 10 积分
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