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![]() 极高κ Hf0.2Zr 0.8 O2栅极堆叠集成到八个堆叠的Ge0.95Si 0.05纳米线和纳米片nFETs中以增强离子
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Wei-Jen Chen; Yi‐Chun Liu; Yun-Wen Chen; Yu-Rui Chen; Hsin-Cheng Lin; et al 出版日期:2023-09-29 |
求助人 |
清秀玉兰
在
2025-08-05 01:46:43 发布,悬赏 10 积分
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