| 标题 |
“Role of Oxygen Vacancies at the TiO₂/HfO₂ Interface in Flexible Oxide-Based Resistive Switching Memory.” |
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成,仅限求助人或该文件上传人下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)