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 Resistivity changes of heavily-boron-doped CVD-prepared polycrystalline silicon caused by thermal annealing 热退火引起的重硼CVD多晶硅电阻率变化
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期刊：Solid-state Electronics 作者：Takahiro Makino; Hiroaki Nakamura 出版日期：1981-01-01 |
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