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 High-performance molybdenum disulfide transistors with channel and contact lengths below 35 nm 沟道和接触长度低于35 nm的高性能二硫化钼晶体管
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材料科学
单层
阈值电压
二硫化钼
电介质
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栅极电介质
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晶体管
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纳米电子学
钼
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