| 标题 |
  TCAD Modeling of GaN HEMT Output Admittance Dispersion through Trap Rate Equation Green’s Functions GaN HEMT输出导纳色散的陷阱速率方程格林函数TCAD建模
相关领域
存水弯（水管）
高电子迁移率晶体管
导纳
色散（光学）
导纳参数
材料科学
光电子学
灵敏度（控制系统）
能量（信号处理）
谐波
计算物理学
级联
晶体管
物理
电子工程
电气工程
化学
工程类
光学
声学
电阻抗
电压
色谱法
气象学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Electronics 作者：Eva Catoggio; Simona Donati Guerrieri; Fabrizio Bonani 出版日期：2023-05-30 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
浮游
Criminology34
GingerF
ASD
David
你嵙这个期刊没买
竹筏过海
寻道图强
tuanheqi
优美的小笨蛋
嘻嘻哈哈
elliotzzz
Progie
从容芮
ccm
Mollyxueyue
erg
YifanWang
无极微光
刻苦的念柏
avalanche
mmyhn
9527
xxfsx
皖公网安备34019202002308
