Crack-free 2.2 μm-thick GaN grown on Si with a single-layer AlN buffer for RF device applications

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标题	[求助补充材料] Crack-free 2.2 μm-thick GaN grown on Si with a single-layer AlN buffer for RF device applications
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac9fdf
DOI	10.1088/1361-6463/ac9fdf doi
其它	期刊：Journal of Physics D 作者：Xiaoning Zhan; Jianxun Liu; Xiujian Sun; Yingnan Huang; Hongwei Gao; et al 出版日期：2022-11-03
求助人	Rui 在 2026-09-09 17:25:04 发布自陕西，悬赏 30 积分
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Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

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