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Stability and 2-D Simulation Studies of Avalanche Breakdown in 4H-SiC DMOSFETs With JTE |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:T. Okayama; S. Arthur; R. Rao; K. Kishore; M. V. Rao 出版日期:2008-01-21 |
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