Ultra low p-type SiGe contact resistance FinFETs with Ti silicide liner using cryogenic contact implantation amorphization and Solid-Phase Epitaxial Regrowth (SPER)

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标题	Ultra low p-type SiGe contact resistance FinFETs with Ti silicide liner using cryogenic contact implantation amorphization and Solid-Phase Epitaxial Regrowth (SPER)
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/7569798/7573353/07573384...
DOI	10.1109/vlsit.2016.7573384 doi
其它	期刊：2016 IEEE Symposium on VLSI Technology 作者：Y. R. Yang; N. Breil; C. Y. Yang; J. Hsieh; F. Chiang; et al 出版日期：2016-06-14
求助人	nnnnnnnn 在 2026-07-07 15:15:44 发布自北京，悬赏 10 积分
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