3D-carrier Profiling and Parasitic Resistance Analysis in Vertically Stacked Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors

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标题	3D-carrier Profiling and Parasitic Resistance Analysis in Vertically Stacked Gate-All-Around Si Nanowire CMOS Transistors
网址	http://dx.doi.org/10.1109/iedm19573.2019.8993636
DOI	10.1109/iedm19573.2019.8993636 doi
其它	期刊：2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：P. Eyben; R. Ritzenthaler; A. De Keersgieter; U. Celano; T. Chiarella; et al 出版日期：2019-12-01
求助人	昵称未命名在 2026-08-19 11:01:44 发布自江苏，悬赏 10 积分
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