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 Application of Atomic Layer Deposition Tungsten (ALD W) as Gate Filling Metal for 22 nm and Beyond Nodes CMOS Technology 原子层沉积钨（ALD W）作为22 nm及以上CMOS工艺栅极填充金属的应用
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Guilei Wang; Qiang Xu; Tao Yang; Jinjuan Xiang; Jie Xu; et al 出版日期：2014-01-01 |
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