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 Defect dependence of electrical characteristics of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes grown with hydride vapor phase epitaxy 氢化物气相外延生长β-Ga2O3肖特基势垒二极管电学特性的缺陷依赖性
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Chang Wan Ahn; Sung Soo Park; Mun Seok Jeong; Eun Kyu Kim 出版日期：2023-08-08 |
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