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 Effect of Bias Frequency on Bottom-Up SiO2 Gap-Filling Using Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition 偏压频率对等离子体增强原子层沉积自下而上SiO2间隙填充的影响
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期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Ye Ji Shin; Ho Gon Kim; Seung Yup Choi; Seo Min Kim; Ji Eun Kang; et al 出版日期：2024-07-29 |
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