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 Emission and capture characteristics of deep hole trap in n-GaN by optical deep level transient spectroscopy 用光学深能级瞬态光谱研究n-GaN中深空穴陷阱的发射和俘获特性
相关领域
深能级瞬态光谱
存水弯（水管）
瞬态（计算机编程）
材料科学
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物理
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硅
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期刊：Journal of Semiconductors 作者：Jin Sui; Jiaxiang Chen; Haolan Qu; Yu Zhang; Xing Lü; et al 出版日期：2024-03-01 |
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